Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Computational Microelectronics - Viktor Sverdlov - 图书 - Springer Verlag GmbH - 9783709103814 - 2010年11月24日
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Computational Microelectronics 2011 edition

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Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.


268 pages, 101 black & white illustrations, 50 black & white tables, biography

介质类型 图书     Hardcover Book   (精装硬皮书)
已发行 2010年11月24日
ISBN13 9783709103814
出版商 Springer Verlag GmbH
页数 252
商品尺寸 170 × 244 × 15 mm   ·   635 g
语言 法语  

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