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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Computational Microelectronics Viktor Sverdlov 2011 edition
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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Computational Microelectronics
Viktor Sverdlov
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
268 pages, 101 black & white illustrations, 50 black & white tables, biography
| 介质类型 | 图书 Hardcover Book (精装硬皮书) |
| 已发行 | 2010年11月24日 |
| ISBN13 | 9783709103814 |
| 出版商 | Springer Verlag GmbH |
| 页数 | 252 |
| 商品尺寸 | 170 × 244 × 15 mm · 635 g |
| 语言 | 法语 |
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