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Charged Semiconductor Defects: Structure, Thermodynamics and Diffusion - Engineering Materials and Processes Edmund G. Seebauer Softcover reprint of hardcover 1st ed. 2009 edition
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Charged Semiconductor Defects: Structure, Thermodynamics and Diffusion - Engineering Materials and Processes
Edmund G. Seebauer
"Charged Defects in Semiconductors" details the current state of knowledge regarding the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors.
298 pages, 30 black & white tables, biography
| 介质类型 | 图书 Paperback Book (平装胶订图书) |
| 已发行 | 2010年10月22日 |
| ISBN13 | 9781849968201 |
| 出版商 | Springer London Ltd |
| 页数 | 298 |
| 商品尺寸 | 155 × 235 × 16 mm · 435 g |
| 语言 | 英语 |
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